2N7002LT1G N-Channel 60V 115mA 2.5V 250uA 7.5Ω 500mA,10V 225mW MOSFET-uri SOT-23(SOT-23-3) RoHS Imagine prezentată

2N7002LT1G N-Canal 60V 115mA 2.5V 250uA 7.5Ω 500mA,10V 225mW MOSFET-uri SOT-23(SOT-23-3) RoHS

Scurta descriere:

Piesa producatoare: 2N7002LT1G
Producator: ON Semiconductor
Pachet: SOT-23(SOT-23-3)
Descriere: MOSFET 60V 115mA N-Channel
Fișă tehnică: Vă rugăm să ne contactați.

Trimiteți-ne un e-mail

Detaliile produsului

Etichete de produs

Parametrul produsului

Atribut	Valoare
Producător:	ON Semiconductor
Categorie produs:	MOSFET
RoHS:	Detalii
Tehnologie:	Si
Stil de montare:	SMD/SMT
Pachet / Carcasa:	SOT-23-3
Polaritatea tranzistorului:	Canal N
Număr de canale:	1 canal
Vds - Tensiune de întrerupere a sursei de scurgere:	60 V
Id - Curent de scurgere continuă:	115 mA
Rds On - Rezistența drenaj-sursă:	7,5 ohmi
Vgs - Tensiune poarta-sursa:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensiune prag poarta-sursa:	1 V
Temperatura minima de functionare:	- 55 C
Temperatura maxima de functionare:	+ 150 C
Pd - disiparea puterii:	300 mW
Mod canal:	Sporire
Ambalare:	Bandă tăiată
Ambalare:	MouseReel
Ambalare:	Tambur
Configurare:	Singur
Înălţime:	0,94 mm
Lungime:	2,9 mm
Produs:	Semnal mic MOSFET
Serie:	2N7002L
Tip tranzistor:	1 canal N
Tip:	MOSFET
Lăţime:	1,3 mm
Marca:	ON Semiconductor
Transconductanță directă - Min:	80 mS
Tip produs:	MOSFET
Cantitate pachet din fabrică:	3000
Subcategorie:	MOSFET-uri
Timp de întârziere tipic la oprire:	40 ns
Timp de întârziere tipic la pornire:	20 ns
Greutate unitară:	0,000282 oz